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IPD65R420CFDATMA1
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- 制造商编号：
- IPD65R420CFDATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
- 规格说明书：
- IPD65R420CFDATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 420 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 870 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 83.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK560P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥9.75000 | 类似 |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | ¥16.13000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥14.347644 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 2500+ | ￥14.347644 | ￥35869.11 |
