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STS10P3LLH6

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制造商编号:
STS10P3LLH6
制造商:
ST意法半导体
系列:
STripFET™ H6
描述:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
详细描述:
表面贴装型 P 通道 30 V 10A(Ta) 2.7W(Ta) 8-SOIC
规格说明书:
STS10P3LLH6说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 STripFET™ H6
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.7W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥8.580556 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥8.580556 ¥21451.39

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