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BS2130F-GE2

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
BS2130F-GE2
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
详细描述:
半桥(3) 驱动器 通用 功率 MOSFET,IGBT 28-SOP
规格说明书:
BS2130F-GE2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
输出配置 半桥(3)
应用 通用
接口 逻辑
负载类型 电感,电容性
技术 功率 MOSFET,IGBT
导通电阻(典型值) -
电流 - 输出/通道 350mA
电流 - 峰值输出 -
电压 - 供电 11.5V ~ 20V
电压 - 负载 600V(最大)
工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)
特性 自举电路
故障保护 限流,UVLO
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装 28-SOP
标准包装 1,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥26.640664 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥31.419631 ¥31.42
10+ ¥28.1782 ¥281.78
25+ ¥26.640664 ¥666.02

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