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TK5Q65W,S1Q

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制造商编号:
TK5Q65W,S1Q
制造商:
Toshiba东芝
系列:
DTMOSIV
描述:
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 5.2A(Ta) 60W(Tc) I-Pak
规格说明书:
TK5Q65W,S1Q说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 DTMOSIV
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.22 欧姆 @ 2.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 170µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 380 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-Pak
封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
标准包装 75

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型号 品牌 参考价格 说明
FCU900N60Z onsemi ¥9.91000 类似

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包装
管件
单价:¥9.705483 总价:¥0.00
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