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AIKB30N65DF5ATMA1

Infineon photo

图像仅供参考

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制造商编号:
AIKB30N65DF5ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IC DISCRETE 650V TO263-3
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 55 A 188 W 表面贴装型 PG-TO263-3
规格说明书:
AIKB30N65DF5ATMA1说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥46.65447 ¥46.65
10+ ¥41.914932 ¥419.15
25+ ¥39.621078 ¥990.53
100+ ¥34.338738 ¥3433.87
250+ ¥32.577746 ¥8144.44
500+ ¥30.625257 ¥15312.63
1000+ ¥30.625257 ¥30625.26

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