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TSM80N1R2CP ROG
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TSM80N1R2CP ROG
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
- 规格说明书：
- TSM80N1R2CP ROG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 685 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCD5N60TM | onsemi | ¥11.06000 | 类似 |
| SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.05000 | 类似 |
| STD9N65M2 | STMicroelectronics | ¥13.36000 | 类似 |
| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | ¥10.14000 | 类似 |
| SPD04N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥14.28000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥27.936342 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥54.334701 | ￥54.33 |
| 10+ | ￥48.757001 | ￥487.57 |
| 100+ | ￥39.948936 | ￥3994.89 |
| 500+ | ￥34.007928 | ￥17003.96 |
| 1000+ | ￥28.681349 | ￥28681.35 |
| 2500+ | ￥27.936342 | ￥69840.85 |
