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FQU13N10TU

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制造商编号:
FQU13N10TU
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述:
通孔 N 通道 100 V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-PAK
规格说明书:
FQU13N10TU说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 450 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),40W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 5,040

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRF6644TRPBF Infineon Technologies ¥26.49000 类似
STU6NF10 STMicroelectronics ¥7.83000 类似
IRFU120NPBF Infineon Technologies ¥8.14000 类似

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标准包装
5,040 / PCS
包装
管件
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