在线客服 
APTM120DA30CT1G
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- APTM120DA30CT1G
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 8™
- 描述：
- MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
- 详细描述：
- 底座安装 N 通道 1200 V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
- 规格说明书：
- APTM120DA30CT1G说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 8™ |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 560 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14560 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 657W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SP1 |
| 封装/外壳 | SP1 |
| 标准包装 | 1 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥804.75971 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 12+ | ￥804.75971 | ￥9657.12 |
