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IPN80R3K3P7ATMA1
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- 制造商编号：
- IPN80R3K3P7ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™ P7
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 1.9A（Tc） 6.1W（Tc） PG-SOT223
- 规格说明书：
- IPN80R3K3P7ATMA1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ P7 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 欧姆 @ 590mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 30µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 120 pF @ 500 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 6.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.107481 | ￥9.11 |
| 10+ | ￥7.992698 | ￥79.93 |
| 100+ | ￥6.125836 | ￥612.58 |
| 500+ | ￥4.842558 | ￥2421.28 |
| 1000+ | ￥4.035469 | ￥4035.47 |
| 3000+ | ￥4.035469 | ￥12106.41 |
