PHD37N06LT,118
![NXP photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/NXP.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/NXP/TTMeCu0l.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/NXP/TTMeCu0l.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- PHD37N06LT,118
- 制造商:
- NXP恩智浦
- 系列:
- TrenchMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 55 V 37A(Tc) 100W(Tc) DPAK
- 规格说明书:
- PHD37N06LT,118说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | NXP(恩智浦) |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 32 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22.5 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±13V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1400 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 100W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DPAK |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
AOD4130 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥7.68000 | 类似 |
IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | ¥7.14000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |
相关产品
P51-500-A-AF-M12-5V-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENS 500PSI 9/16-18 UNF 1-5V
价格:¥1354.228911
P51-1500-S-AD-M12-5V-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENSOR 1500PSIS 7/16 UNF 5V
价格:¥1354.228911
P51-750-A-M-I12-4.5V-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENSOR 750PSI M10-1.0 6G .5-4.5V
价格:¥1660.746384