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A2C50S65M2-F

ST photo

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制造商编号:
A2C50S65M2-F
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 50 A 208 W 底座安装 ACEPACK™ 2
规格说明书:
A2C50S65M2-F说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 托盘
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50 A
功率 - 最大值 208 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值) 100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 4.15 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 ACEPACK™ 2
标准包装 18

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
18 / PCS
包装
托盘
单价:¥677.36846 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥677.36846 ¥677.37

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