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PMWD19UN,518
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- 制造商编号：
- PMWD19UN,518
- 制造商：
- NXP恩智浦
- 系列：
- TrenchMOS™
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 5.6A 2.3W 表面贴装型 8-TSSOP
- 规格说明书：
- PMWD19UN,518说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | NXP(恩智浦) |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1478pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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