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1N6001D

Microchip photo

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制造商编号:
1N6001D
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 11V 500MW DO35
详细描述:
二极管 - 齐纳 11 V 500 mW ±1% 通孔 DO-35
规格说明书:
1N6001D说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 11 V
容差 ±1%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 18 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 8.4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 200 mA
工作温度 -65°C ~ 175°C
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35
标准包装 1

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
BZX55C11-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似
BZX79-B11,133 Nexperia USA Inc. ¥1.84000 类似
BZX55B11-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.77000 类似
1N5241B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.46000 类似
1N5241B onsemi ¥1.31000 类似

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1 / PCS
包装
散装
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阶梯 单价(含税价) 总价
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