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TSM60NB099PW C1G

Taiwan Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
TSM60NB099PW C1G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 38A(Tc) 329W(Tc) TO-247
规格说明书:
TSM60NB099PW C1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 99 毫欧 @ 11.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 62 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2587 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 329W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 600

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
600 / PCS
包装
管件
单价:¥98.636593 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥151.925792 ¥151.93
10+ ¥139.605367 ¥1396.05
100+ ¥117.903441 ¥11790.34
500+ ¥104.883504 ¥52441.75
1000+ ¥98.636593 ¥98636.59

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