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SH8MA4TB1

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
SH8MA4TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 9A(Ta),8.5A(Ta) 2W(Ta) 表面贴装型 8-SOP
规格说明书:
SH8MA4TB1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Ta),8.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 21.4mOhm @ 9A,10V,29.6mOhm @ 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,19.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 640pF @ 15V,890pF @ 15V
功率 - 最大值 2W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOP
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.711607 ¥9.71
10+ ¥8.666356 ¥86.66
100+ ¥6.754354 ¥675.44
500+ ¥5.579979 ¥2789.99
1000+ ¥4.405308 ¥4405.31
2500+ ¥4.111623 ¥10279.06
5000+ ¥4.00483 ¥20024.15

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