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IPT65R105G7XTMA1
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- 制造商编号：
- IPT65R105G7XTMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™ C7
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 24A（Tc） 156W（Tc） PG-HSOF-8-2
- 规格说明书：
- IPT65R105G7XTMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ C7 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 最后售卖 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 8.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 440µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1670 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-2 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
| 标准包装 | 2,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥53.634417 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥76.578358 | ￥76.58 |
| 10+ | ￥69.191574 | ￥691.92 |
| 2000+ | ￥53.634417 | ￥107268.83 |
