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MII100-12A3

IXYS photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
MII100-12A3
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
详细描述:
IGBT 模块 NPT 半桥 1200 V 135 A 560 W 底座安装 Y4-M5
规格说明书:
MII100-12A3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 NPT
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 135 A
功率 - 最大值 560 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.7V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值) 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 5.5 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 Y4-M5
供应商器件封装 Y4-M5
标准包装 6

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
6 / PCS
包装
散装
单价:¥641.496243 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥725.312306 ¥725.31
10+ ¥689.052286 ¥6890.52
100+ ¥641.496243 ¥64149.62

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