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FDV303N
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- 制造商编号：
- FDV303N
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
- 规格说明书：
- FDV303N说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 680mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | ¥3.76000 | 类似 |
| DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | ¥3.84000 | 类似 |
| BSH103,215 | Nexperia USA Inc. | ¥3.46000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.626005 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.103078 | ￥4.10 |
| 10+ | ￥3.360794 | ￥33.61 |
| 100+ | ￥1.78372 | ￥178.37 |
| 500+ | ￥1.173704 | ￥586.85 |
| 1000+ | ￥0.798161 | ￥798.16 |
| 3000+ | ￥0.719891 | ￥2159.67 |
| 6000+ | ￥0.626005 | ￥3756.03 |
