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RGT60TS65DGC11

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
RGT60TS65DGC11
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
IGBT 650V 55A 194W TO-247N
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 55 A 194 W 通孔 TO-247N
规格说明书:
RGT60TS65DGC11说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 55 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值 194 W
开关能量 -
输入类型 标准
栅极电荷 58 nC
25°C 时 Td(开/关)值 29ns/100ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 58 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247N
标准包装 450

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
450 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥27.664402 ¥27.66
10+ ¥24.843249 ¥248.43
100+ ¥20.355962 ¥2035.60

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