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SSM6N815R,LF

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制造商编号:
SSM6N815R,LF
制造商:
Toshiba东芝
系列:
U-MOSVIII-H
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 2A(Ta) 1.8W(Ta) 表面贴装型 6-TSOP-F
规格说明书:
SSM6N815R,LF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 U-MOSVIII-H
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 103 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 290pF @ 15V
功率 - 最大值 1.8W(Ta)
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装 6-TSOP-F
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.114895 ¥4.11
10+ ¥3.50165 ¥35.02
100+ ¥2.615751 ¥261.58
500+ ¥2.05494 ¥1027.47
1000+ ¥1.587905 ¥1587.90
3000+ ¥1.447805 ¥4343.41
6000+ ¥1.354393 ¥8126.36

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