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TK14G65W,RQ

Toshiba photo

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制造商编号:
TK14G65W,RQ
制造商:
Toshiba东芝
系列:
DTMOSIV
描述:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
规格说明书:
TK14G65W,RQ说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 DTMOSIV
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 250 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 690µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1300 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 130W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥10.312366 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥22.343125 ¥22.34
10+ ¥20.041671 ¥200.42
100+ ¥16.108312 ¥1610.83
500+ ¥13.234217 ¥6617.11
1000+ ¥10.965489 ¥10965.49
2000+ ¥10.312366 ¥20624.73

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