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TSM1NB60CW RPG

Taiwan Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
TSM1NB60CW RPG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 1A(Tc) 39W(Tc) SOT-223
规格说明书:
TSM1NB60CW RPG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 138 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 39W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.008879 ¥14.01
10+ ¥12.500845 ¥125.01
100+ ¥9.744663 ¥974.47
500+ ¥8.049919 ¥4024.96
1000+ ¥6.35521 ¥6355.21
2500+ ¥5.931524 ¥14828.81
5000+ ¥5.77746 ¥28887.30

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