STP80N70F6
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- 制造商编号:
- STP80N70F6
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 描述:
- MOSFET N-CH 68V 96A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 68 V 96A(Tc) 110W(Tc) TO-220
- 规格说明书:
- STP80N70F6说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 68 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 96A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 毫欧 @ 48A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 99 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5850 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IXTP120N075T2 | IXYS | ¥30.33000 | 类似 |
IRF60B217 | Infineon Technologies | ¥14.82000 | 类似 |
IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | ¥15.59000 | 类似 |
DMNH6008SCTQ | Diodes Incorporated | ¥15.67000 | 类似 |
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- 50 / PCS
- 包装
- 管件
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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