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APTGLQ75H120T3G

Microchip photo

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制造商编号:
APTGLQ75H120T3G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 130A 385W SP1
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 130 A 385 W 通孔 SP1
规格说明书:
APTGLQ75H120T3G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 全桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 130 A
功率 - 最大值 385 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值) 50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 4.4 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 SP1
供应商器件封装 SP1
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥1205.468804 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
8+ ¥1205.468804 ¥9643.75

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