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CSD85312Q3E
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- 制造商编号：
- CSD85312Q3E
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共源 20V 39A 2.5W 表面贴装型 8-VSON（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- CSD85312Q3E说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共源 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.4 毫欧 @ 10A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.2nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2390pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-VSON（3.3x3.3） |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥6.182692 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.794144 | ￥12.79 |
| 10+ | ￥11.467482 | ￥114.67 |
| 100+ | ￥8.938369 | ￥893.84 |
| 500+ | ￥7.383899 | ￥3691.95 |
| 1000+ | ￥6.18268 | ￥6182.68 |
| 2500+ | ￥6.182692 | ￥15456.73 |
