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HP8M51TB1

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
HP8M51TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 100V 4.5A(Ta) 3W(Ta) 表面贴装型 8-HSOP
规格说明书:
HP8M51TB1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 170mOhm @ 4.5A,10V,290mOhm @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V,26.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 600pF @ 50V,1430pF @ 50V
功率 - 最大值 3W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-HSOP
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥18.465732 ¥18.47
10+ ¥16.588383 ¥165.88
100+ ¥13.331917 ¥1333.19
500+ ¥10.953006 ¥5476.50
1000+ ¥9.075429 ¥9075.43
2500+ ¥8.534884 ¥21337.21

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