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MCB60P1200TLB-TRR
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- 制造商编号：
- MCB60P1200TLB-TRR
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- -
- 描述：
- MCB60P1200TLB-TRR
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 4 N 沟道（半桥） 1200V（1.2kV） - - 表面贴装型 9-SMPD-B
- 规格说明书：
- MCB60P1200TLB-TRR说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 4 N 沟道（半桥） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 9-PowerSMD |
| 供应商器件封装 | 9-SMPD-B |
| 标准包装 | 200 |
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- 标准包装
- 200 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2287.78863 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 200+ | ￥2287.78863 | ￥457557.73 |
