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SIHD3N50D-GE3
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- 制造商编号：
- SIHD3N50D-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 500 V 3A（Tc） 69W（Tc） D-Pak
- 规格说明书：
- SIHD3N50D-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.2 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 175 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics | ¥9.37000 | 类似 |
| AOD3N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥5.45000 | 类似 |
| STD3N40K3 | STMicroelectronics | ¥9.68000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥3.686839 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.26301 | ￥9.26 |
| 10+ | ￥8.106688 | ￥81.07 |
| 100+ | ￥6.218277 | ￥621.83 |
| 500+ | ￥4.915786 | ￥2457.89 |
| 1000+ | ￥3.932626 | ￥3932.63 |
| 2000+ | ￥3.686839 | ￥7373.68 |
