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IXFY36N20X3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFY36N20X3
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Ultra X3
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 200 V 36A（Tc） 176W（Tc） TO-252AA
- 规格说明书：
- IXFY36N20X3说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Ultra X3 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1425 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 176W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 70 |
价格库存
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- 标准包装
- 70 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥22.522641 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥43.728866 | ￥43.73 |
| 10+ | ￥39.311218 | ￥393.11 |
| 100+ | ￥32.207298 | ￥3220.73 |
| 500+ | ￥27.417514 | ￥13708.76 |
| 1000+ | ￥23.123245 | ￥23123.24 |
| 2000+ | ￥22.522641 | ￥45045.28 |
