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HCT802
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TT Electronics/Optek Technology |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 90V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A，1.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 70pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装 | 6-SMD |
| 标准包装 | 1 |
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