APTGT50A60T1G
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- 制造商编号:
- APTGT50A60T1G
- 制造商:
- Microsemi美高森美
- 系列:
- -
- 描述:
- IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
- 详细描述:
- IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 600 V 80 A 176 W 底座安装 SP1
- 规格说明书:
- APTGT50A60T1G说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microsemi(美高森美) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 停产 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
配置 | 半桥 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80 A |
功率 - 最大值 | 176 W |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 1.9V @ 15V,50A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 250 µA |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 3.15 nF @ 25 V |
输入 | 标准 |
NTC 热敏电阻 | 是 |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP1 |
供应商器件封装 | SP1 |
标准包装 | 1 |
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- 散装
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