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1N8033-GA

GeneSiC photo

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制造商编号:
1N8033-GA
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
系列:
-
描述:
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
详细描述:
二极管 碳化硅肖特基 650 V 4.3A(DC) 表面贴装型 TO-276
规格说明书:
1N8033-GA说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 GeneSiC(基因半导体公司)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 650 V
电流 - 平均整流 (Io) 4.3A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.65 V @ 5 A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容 274pF @ 1V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-276AA
供应商器件封装 TO-276
工作温度 - 结 -55°C ~ 250°C
标准包装 10

价格库存

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货期
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标准包装
10 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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