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DDA114EU-7-F
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- 制造商编号：
- DDA114EU-7-F
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
- 详细描述：
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装型 SOT-363
- 规格说明书：
- DDA114EU-7-F说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RN2962(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.76000 | 类似 |
| NSVMUN5111DW1T3G | onsemi | ¥3.15000 | 类似 |
| PUMB11,115 | Nexperia USA Inc. | ¥3.00000 | 类似 |
| MUN5111DW1T1G | onsemi | ¥2.00000 | 类似 |
| BCR183SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥0.38255 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.541407 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.103078 | ￥4.10 |
| 10+ | ￥3.064875 | ￥30.65 |
| 100+ | ￥1.733115 | ￥173.31 |
| 500+ | ￥1.147743 | ￥573.87 |
| 1000+ | ￥0.879998 | ￥880.00 |
| 3000+ | ￥0.765187 | ￥2295.56 |
| 6000+ | ￥0.688658 | ￥4131.95 |
| 15000+ | ￥0.612142 | ￥9182.13 |
| 30000+ | ￥0.573884 | ￥17216.52 |
| 75000+ | ￥0.541407 | ￥40605.53 |
