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SIZ300DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ300DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 11A，28A 16.7W，31W 表面贴装型 8-PowerPair®
- 规格说明书：
- SIZ300DT-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A，28A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 9.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 16.7W，31W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair® |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| HS8K11TB | Rohm Semiconductor | ¥5.15000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.327132 | ￥10.33 |
| 10+ | ￥9.19981 | ￥92.00 |
| 100+ | ￥7.175419 | ￥717.54 |
| 500+ | ￥5.927682 | ￥2963.84 |
| 1000+ | ￥4.679741 | ￥4679.74 |
| 3000+ | ￥4.679741 | ￥14039.22 |
