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IXTY8N65X2
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- 制造商编号：
- IXTY8N65X2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Ultra X2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 8A TO252
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 8A（Tc） 150W（Tc） TO-252AA
- 规格说明书：
- IXTY8N65X2说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 500 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 70 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD10NM60N | STMicroelectronics | ¥22.73000 | 类似 |
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | ¥7.76000 | 类似 |
| SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥24.19000 | 类似 |
| STD12N65M2 | STMicroelectronics | ¥14.67000 | 类似 |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | ¥27.65000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 70 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥14.350043 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.876064 | ￥27.88 |
| 10+ | ￥25.046183 | ￥250.46 |
| 100+ | ￥20.520737 | ￥2052.07 |
| 500+ | ￥17.468693 | ￥8734.35 |
| 1000+ | ￥14.732736 | ￥14732.74 |
| 2000+ | ￥14.350043 | ￥28700.09 |
