EPC2105ENGRT
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- 制造商编号:
- EPC2105ENGRT
- 制造商:
- EPC
- 系列:
- eGaN®
- 描述:
- GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 80V 9.5A - 表面贴装型 模具
- 规格说明书:
- EPC2105ENGRT说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | EPC |
系列 | eGaN® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能 | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss) | 80V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14.5 毫欧 @ 20A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 2.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.5nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 300pF @ 40V |
功率 - 最大值 | - |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 模具 |
供应商器件封装 | 模具 |
标准包装 | 500 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 咨询客服
- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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