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SIA477EDJT-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIA477EDJT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET® Gen III
描述:
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
详细描述:
表面贴装型 P 通道 12 V 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单
规格说明书:
SIA477EDJT-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET® Gen III
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 13 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 50 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3050 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 19W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 单
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.377062 ¥4.38
10+ ¥3.755839 ¥37.56
100+ ¥2.803942 ¥280.39
500+ ¥2.203235 ¥1101.62
1000+ ¥1.702495 ¥1702.50
3000+ ¥1.552273 ¥4656.82
6000+ ¥1.502199 ¥9013.19

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