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SI8809EDB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8809EDB-T2-E1
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 1.94（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
- 规格说明书：
- SI8809EDB-T2-E1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.94（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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