PHD38N02LT,118
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- 制造商编号:
- PHD38N02LT,118
- 制造商:
- Nexperia安世
- 系列:
- TrenchMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 20 V 44.7A(Tc) 57.6W(Tc) DPAK
- 规格说明书:
- PHD38N02LT,118说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Nexperia(安世) |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 44.7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 25A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15.1 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 800 pF @ 20 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 57.6W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DPAK |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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