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TK099V65Z,LQ

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制造商编号:
TK099V65Z,LQ
制造商:
Toshiba东芝
系列:
DTMOSVI
描述:
MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 30A(Ta) 230W(Tc) 5-DFN(8x8)
规格说明书:
TK099V65Z,LQ说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 DTMOSVI
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 99 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1.27mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 47 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2780 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 230W(Tc)
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN(8x8)
封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥45.959155 ¥45.96
10+ ¥41.248114 ¥412.48
100+ ¥33.798103 ¥3379.81
500+ ¥28.771753 ¥14385.88
1000+ ¥24.265328 ¥24265.33
2500+ ¥23.635065 ¥59087.66

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