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BSM100GAL120DLCKHOSA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSM100GAL120DLCKHOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT MOD 1200V 205A 835W
详细描述:
IGBT 模块 - 单斩波器 1200 V 205 A 835 W 底座安装 模块
规格说明书:
BSM100GAL120DLCKHOSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 托盘
零件状态 最后售卖
IGBT 类型 -
配置 单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 205 A
功率 - 最大值 835 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.6V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值) 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 6.5 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 10

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型号 品牌 参考价格 说明
FD150R12RT4HOSA1 Rochester Electronics, LLC ¥510.87000 类似

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10 / PCS
包装
托盘
单价:¥1107.816167 总价:¥0.00
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