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QS8J2TR

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
QS8J2TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 12V 4A 550mW 表面贴装型 TSMT8
规格说明书:
QS8J2TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 36 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1940pF @ 6V
功率 - 最大值 550mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装 TSMT8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥3.437484 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.449513 ¥9.45
10+ ¥8.316815 ¥83.17
100+ ¥6.377427 ¥637.74
500+ ¥5.041639 ¥2520.82
1000+ ¥4.033301 ¥4033.30
3000+ ¥3.655184 ¥10965.55
6000+ ¥3.437484 ¥20624.90

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