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IRFHM8342TRPBF
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- 制造商编号：
- IRFHM8342TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta） 2.6W（Ta），20W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
- 规格说明书：
- IRFHM8342TRPBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 560 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.6W（Ta），20W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 4,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | ¥6.68000 | 类似 |
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- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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