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STGB10NC60HDT4

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制造商编号:
STGB10NC60HDT4
制造商:
ST意法半导体
系列:
PowerMESH™
描述:
IGBT 600V 20A 65W D2PAK
详细描述:
IGBT - 600 V 20 A 65 W 表面贴装型 D2PAK
规格说明书:
STGB10NC60HDT4说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 PowerMESH™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,5A
功率 - 最大值 65 W
开关能量 31.8µJ(开),95µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 19.2 nC
25°C 时 Td(开/关)值 14.2ns/72ns
测试条件 390V,5A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 22 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
标准包装 1,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies ¥13.52000 类似

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货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥9.534708 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.99669 ¥17.00
10+ ¥15.305725 ¥153.06
100+ ¥12.301401 ¥1230.14
500+ ¥10.106752 ¥5053.38
1000+ ¥9.534708 ¥9534.71

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