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TK25E60X,S1X

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请参阅产品规格

制造商编号:
TK25E60X,S1X
制造商:
Toshiba东芝
系列:
DTMOSIV-H
描述:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 25A(Ta) 180W(Tc) TO-220
规格说明书:
TK25E60X,S1X说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 DTMOSIV-H
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2400 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 180W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥20.625689 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥40.110697 ¥40.11
10+ ¥35.998915 ¥359.99
100+ ¥29.494666 ¥2949.47
500+ ¥25.108326 ¥12554.16
1000+ ¥21.1757 ¥21175.70
2000+ ¥20.625689 ¥41251.38

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