SIHG64N65E-GE3
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- 制造商编号:
- SIHG64N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 64A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
- 规格说明书:
- SIHG64N65E-GE3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 64A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 47 毫欧 @ 32A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 369 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7497 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 520W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
TSM60NB041PW C1G | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥227.32000 | 类似 |
FCH040N65S3-F155 | onsemi | ¥78.64000 | 类似 |
IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥124.72000 | 类似 |
FCH76N60NF | onsemi | ¥150.67000 | 类似 |
APT60N60BCSG | Microchip Technology | ¥161.50000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥95.318384 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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500+ | ¥95.318384 | ¥47659.19 |