IRF9389PBF
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- 制造商编号:
- IRF9389PBF
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6.8A,4.6A 2W 表面贴装型 8-SO
- 规格说明书:
- IRF9389PBF说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A,4.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 27 毫欧 @ 6.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 10µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 398pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
标准包装 | 3,800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
AO4629 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.53000 | 类似 |
DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | ¥3.92000 | 类似 |
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- 包装
- 管件
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