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SCT30N120H
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SCT30N120H
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 1200 V 40A（Tc） 270W（Tc） H2Pak-2
- 规格说明书：
- SCT30N120H说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 20A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 105 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 270W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | H2Pak-2 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥200.168603 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥234.037088 | ￥234.04 |
| 10+ | ￥215.815691 | ￥2158.16 |
| 25+ | ￥206.114771 | ￥5152.87 |
| 100+ | ￥200.168168 | ￥20016.82 |
| 1000+ | ￥200.168603 | ￥200168.60 |
