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G30N04D3

Goford Semiconductor photo

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制造商编号:
G30N04D3
制造商:
Goford Semiconductor
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
详细描述:
表面贴装型 N 通道 40 V 30A(Tc) 19.8W(Tc) 8-DFN(3.15x3.05)
规格说明书:
G30N04D3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Goford Semiconductor
系列 -
封装/外壳 8-PowerVDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1780 pF @ 20 V
FET 功能 标准
功率耗散(最大值) 19.8W(Tc)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DFN(3.15x3.05)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.523778 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.975233 ¥6.98
10+ ¥6.1111 ¥61.11
100+ ¥4.682855 ¥468.29
500+ ¥3.701548 ¥1850.77
1000+ ¥2.961216 ¥2961.22
3000+ ¥2.683624 ¥8050.87
6000+ ¥2.523778 ¥15142.67

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