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RJP65T54DPM-A0#T2

Renesas photo

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制造商编号:
RJP65T54DPM-A0#T2
制造商:
Renesas瑞萨
系列:
-
描述:
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
详细描述:
IGBT 沟道 650 V 60 A 63.5 W 通孔 TO-3PFP
规格说明书:
RJP65T54DPM-A0#T2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Renesas(瑞萨)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.68V @ 15V,30A
功率 - 最大值 63.5 W
开关能量 330µJ(开),760µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 72 nC
25°C 时 Td(开/关)值 35ns/120ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 SC-94
供应商器件封装 TO-3PFP
标准包装 1

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货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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